Tech & MediaHardware.info
Samsung stapelt ook voor aankomende generatie NAND slechts twee keer
Ondanks de lage vraag naar ssd's staat Samsung toch in de startblokken om aankomend jaar gebruik te maken van 'double-stack'-architectuur in zijn 9de generatie 3d-nand geheugen. Samsung's 9de generatie V-nand zou meer dan 300 lagen bevatten en dit zou bereikt worden door de 'double-stack'-techniek, waarbij een enkele stapel 3d-nand op een wafer wordt gemaakt, waarna deze wordt samengevoegd met een tweede stapel. Samsung gebruikt deze techniek al sinds 2020 met de 7de generatie nand-chips die tot 176 lagen ging.

Je gaat naar de website van de uitgever. Hier tonen we alleen een korte intro.