Direct naar de inhoud

vrijdag 23 oktober 2026

Tech & MediaHardware.info

3D X-DRAM moet capaciteit geheugenchips op korte termijn drastisch verhogen

Het Amerikaanse NEO Semiconductor heeft een technologie ontwikkeld om het in drie dimensies vervaardigen van dram-geheugencellen goedkoper en vooral eenvoudiger te maken. Hiermee kan de dichtheid van cellen in geheugenchips op zeer korte termijn drastisch verhoogd worden.

Lees het volledige artikel bij Hardware.info

Je gaat naar de website van de uitgever. Hier tonen we alleen een korte intro.

Gerelateerd nieuws

Bekijk alles