Tech & MediaHardware.info
3D X-DRAM moet capaciteit geheugenchips op korte termijn drastisch verhogen
Het Amerikaanse NEO Semiconductor heeft een technologie ontwikkeld om het in drie dimensies vervaardigen van dram-geheugencellen goedkoper en vooral eenvoudiger te maken. Hiermee kan de dichtheid van cellen in geheugenchips op zeer korte termijn drastisch verhoogd worden.

Je gaat naar de website van de uitgever. Hier tonen we alleen een korte intro.

